Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
Ab initio calculations have been carried out to verify a possibility for an oxygen atom to transit from the bridge bond between the addimer atoms and atoms in the second subsurface layer to the bond between atoms belonging to the second and third subsurface layers of the GexSi1–x/Si(001) interface i...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)
Приповерхневі шари і товщинні залежності термоелектричних властивостей парофазних конденсатів LAST на ситалі
за авторством: Фреїк, Д.М., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Фреїк, Д.М., та інші
Опубліковано: (2015)
Взаємодiя молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану
за авторством: Koval, I. P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Koval, I. P., та інші
Опубліковано: (2019)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)
Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
за авторством: Ткачук, О.І., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ткачук, О.І., та інші
Опубліковано: (2013)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC
за авторством: Токій, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Токій, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)
Приповерхневі зміни у поруватому вуглецевому матеріялі, ініційовані лазерним опроміненням
за авторством: Трачевський, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Трачевський, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
за авторством: Теребінська, М.І., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Теребінська, М.І., та інші
Опубліковано: (2014)
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Примежові шари та зсувна пружність системи “колаген–вода”
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2019)
Дослiдження наноструктурованої поверхнi Si(001)-c(8 × 8) методом скануючої тунельної мiкроскопiї
за авторством: Goriachko, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Goriachko, A., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)