Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
Ab initio calculations have been carried out to verify a possibility for an oxygen atom to transit from the bridge bond between the addimer atoms and atoms in the second subsurface layer to the bond between atoms belonging to the second and third subsurface layers of the GexSi1–x/Si(001) interface i...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)