Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

Ab initio calculations have been carried out to verify a possibility for an oxygen atom to transit from the bridge bond between the addimer atoms and atoms in the second subsurface layer to the bond between atoms belonging to the second and third subsurface layers of the GexSi1–x/Si(001) interface i...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2022
Hauptverfasser: Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:
-
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103
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Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

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