Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
Ab initio calculations have been carried out to verify a possibility for an oxygen atom to transit from the bridge bond between the addimer atoms and atoms in the second subsurface layer to the bond between atoms belonging to the second and third subsurface layers of the GexSi1–x/Si(001) interface i...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch Englisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
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| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
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