2025-02-22T10:01:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:01:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022108%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T10:01:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T10:01:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

У даній роботі досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77до 150 К. Обчислено значення величин локалізації хвильової функ...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108

Similar Items