Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

У даній роботі досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77до 150 К. Обчислено значення величин локалізації хвильової функ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автори: Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics