Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
У даній роботі досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77до 150 К. Обчислено значення величин локалізації хвильової функ...
Збережено в:
Дата: | 2022 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian English |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |