Харвестер відкритої науки НАН України

Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vakulenko, O., Golovynskyi, S., Kondratenko, S., Gryn, I., & Strelchuk, V. (2022). Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vakulenko, O.V, S.L Golovynskyi, S.V Kondratenko, I.A Gryn, та V.V Strelchuk. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot, 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vakulenko, O.V, et al. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot, 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.