Vakulenko, O., Golovynskyi, S., Kondratenko, S., Gryn, I., & Strelchuk, V. (2022). Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika". https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381
Chicago Style (17th ed.) CitationVakulenko, O.V, S.L Golovynskyi, S.V Kondratenko, I.A Gryn, and V.V Strelchuk. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.
MLA (8th ed.) CitationVakulenko, O.V, et al. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.381.