Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are ca...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131459434315776 |
|---|---|
| author | Vakulenko, O.V. Golovynskyi, S.L. Kondratenko, S.V. Gryn, I.A. Strelchuk, V.V. |
| author_facet | Vakulenko, O.V. Golovynskyi, S.L. Kondratenko, S.V. Gryn, I.A. Strelchuk, V.V. |
| author_sort | Vakulenko, O.V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-02-15T07:49:15Z |
| description | The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are calculated. The energy diagram of the heterosystem is analyzed by using the lateral photocurrent and photoluminescence spectroscopies. The activation energies of electrons and heavy holes were determined from experimental data in the framework of a theoretical model proposed for the temperature dependence of the lateral photocurrent. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe56.4.381 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:18:29Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2022108 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:18:29Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20221082022-02-15T07:49:15Z Influence of Charge Carrier Thermal Activation on the Temperature Dependences of Dark Current, Photoconductivity, and Photoluminescence in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками Vakulenko, O.V. Golovynskyi, S.L. Kondratenko, S.V. Gryn, I.A. Strelchuk, V.V. - - The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are calculated. The energy diagram of the heterosystem is analyzed by using the lateral photocurrent and photoluminescence spectroscopies. The activation energies of electrons and heavy holes were determined from experimental data in the framework of a theoretical model proposed for the temperature dependence of the lateral photocurrent. У даній роботі досліджено In0,4Ga0,6As/GaAs гетероструктуру з ланцюгами квантових точок. Температурними дослідженнями темнового струму встановлено існування анізотропії електричних властивостей структури у температурному діапазоні від 77до 150 К. Обчислено значення величин локалізації хвильової функції та середню довжину стрибка у гетеросистемі. Методом спектроскопії латерального фотоструму та фотолюмінесценції досліджено енергетичну структуру гетеросистеми. Запропоновано теоретичну модель опису температурної залежності латерального фотоструму, в рамках якої з експериментальної залежності отримано значення енергій активації для електронів та важких дірок. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-14 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108 10.15407/ujpe56.4.381 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 4 (2011); 381 Український фізичний журнал; Том 56 № 4 (2011); 381 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.4 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108/2357 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108/2358 |
| spellingShingle | - Vakulenko, O.V. Golovynskyi, S.L. Kondratenko, S.V. Gryn, I.A. Strelchuk, V.V. Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title | Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title_alt | Influence of Charge Carrier Thermal Activation on the Temperature Dependences of Dark Current, Photoconductivity, and Photoluminescence in In0.4Ga0.6As/GaAs Heterostructures with Quantum Dots |
| title_full | Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title_fullStr | Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title_full_unstemmed | Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title_short | Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками |
| title_sort | вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур in0,4ga0,6as/gaas з квантовими точками |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108 |
| work_keys_str_mv | AT vakulenkoov influenceofchargecarrierthermalactivationonthetemperaturedependencesofdarkcurrentphotoconductivityandphotoluminescenceinin04ga06asgaasheterostructureswithquantumdots AT golovynskyisl influenceofchargecarrierthermalactivationonthetemperaturedependencesofdarkcurrentphotoconductivityandphotoluminescenceinin04ga06asgaasheterostructureswithquantumdots AT kondratenkosv influenceofchargecarrierthermalactivationonthetemperaturedependencesofdarkcurrentphotoconductivityandphotoluminescenceinin04ga06asgaasheterostructureswithquantumdots AT grynia influenceofchargecarrierthermalactivationonthetemperaturedependencesofdarkcurrentphotoconductivityandphotoluminescenceinin04ga06asgaasheterostructureswithquantumdots AT strelchukvv influenceofchargecarrierthermalactivationonthetemperaturedependencesofdarkcurrentphotoconductivityandphotoluminescenceinin04ga06asgaasheterostructureswithquantumdots AT vakulenkoov vplivtermíčnoíaktivacíínosíívzarâdunatemperaturnízaležnostítemnovogostrumufotoprovídnístʹtafotolûmínescencíûgeterostrukturin04ga06asgaaszkvantovimitočkami AT golovynskyisl vplivtermíčnoíaktivacíínosíívzarâdunatemperaturnízaležnostítemnovogostrumufotoprovídnístʹtafotolûmínescencíûgeterostrukturin04ga06asgaaszkvantovimitočkami AT kondratenkosv vplivtermíčnoíaktivacíínosíívzarâdunatemperaturnízaležnostítemnovogostrumufotoprovídnístʹtafotolûmínescencíûgeterostrukturin04ga06asgaaszkvantovimitočkami AT grynia vplivtermíčnoíaktivacíínosíívzarâdunatemperaturnízaležnostítemnovogostrumufotoprovídnístʹtafotolûmínescencíûgeterostrukturin04ga06asgaaszkvantovimitočkami AT strelchukvv vplivtermíčnoíaktivacíínosíívzarâdunatemperaturnízaležnostítemnovogostrumufotoprovídnístʹtafotolûmínescencíûgeterostrukturin04ga06asgaaszkvantovimitočkami |