Зображення обкладинки

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are ca...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська Англійська
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:	-
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
за авторством: Кондратенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
за авторством: Litovchenko, N. M., та інші
Опубліковано: (2018)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)

Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
за авторством: M. Horiacha, та інші
Опубліковано: (2020)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
за авторством: Зайцев, С.В.
Опубліковано: (2012)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2020)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2020)

Еліпсометричні та спектрометричні дослідження тонкої плівки (Ga0,2In0,8)2Se3
за авторством: Studenyak, I. P., та інші
Опубліковано: (2020)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
за авторством: Артеменко, Г.В., та інші
Опубліковано: (2021)

The Paleoarchean (3.3 Ga) and Mesoarchean (3.0 Ga) tonalite-trondhjemitegranodiorite rocks of the West Azov area (the Ukrainian Shield)
за авторством: G. V. Artemenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Stages in evolution of Earth's crust recorded by the Huliaipole block of the West Azov area (4.0-2.0 Ga)
за авторством: Artemenko, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
за авторством: Pokutnyi, S. I., та інші
Опубліковано: (2021)

Гібридні наноструктури з квантовими точками А₂В₆ і металевими наночастинками (огляд)
за авторством: Крюченко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
за авторством: M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

Оптичні параметри свіжоприготованих та відпалених тонких плівок (Ga0,3In0,7)2Se3
за авторством: Pop, M., та інші
Опубліковано: (2021)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
за авторством: Покутній, С.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії
за авторством: Onyshchenko, V.F.
Опубліковано: (2023)

Stages in evolution of Earth&#039;s crust recorded by the Huliaipole block of the West Azov area (4.0-2.0 Ga)
за авторством: G. V. Artemenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Мессбауэровские исследования CoGa₂-xFexO₄ (x=0,8;1)
за авторством: Султанов, Г.Д., та інші
Опубліковано: (1996)

Вплив структурних дефектів на екситонну фотолюмінесценцію пентацену
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2022)

Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 &lt;Er&gt; single crystals
за авторством: T. B. Taghiyev
Опубліковано: (2011)

Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)