Buchumschlag

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are ca...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
von: Кондратенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
von: Litovchenko, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
von: O. V. Vakulenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
von: M. Horiacha, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
von: A. Elkadadra, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
von: Зайцев, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Ellipsometric and spectrometric studies of (Ga0.2In0.8)2Se3 thin film
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Еліпсометричні та спектрометричні дослідження тонкої плівки (Ga0,2In0,8)2Se3
von: Studenyak, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2020)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
von: Артеменко, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

The Paleoarchean (3.3 Ga) and Mesoarchean (3.0 Ga) tonalite-trondhjemitegranodiorite rocks of the West Azov area (the Ukrainian Shield)
von: G. V. Artemenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Stages in evolution of Earth's crust recorded by the Huliaipole block of the West Azov area (4.0-2.0 Ga)
von: Artemenko, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Гібридні наноструктури з квантовими точками А₂В₆ і металевими наночастинками (огляд)
von: Крюченко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Оптичні параметри свіжоприготованих та відпалених тонких плівок (Ga0,3In0,7)2Se3
von: Pop, M., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
von: Покутній, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії
von: Onyshchenko, V.F.
Veröffentlicht: (2023)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Stages in evolution of Earth&#039;s crust recorded by the Huliaipole block of the West Azov area (4.0-2.0 Ga)
von: G. V. Artemenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Мессбауэровские исследования CoGa₂-xFexO₄ (x=0,8;1)
von: Султанов, Г.Д., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Вплив структурних дефектів на екситонну фотолюмінесценцію пентацену
von: Piryatinski, Yu.P., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 &lt;Er&gt; single crystals
von: T. B. Taghiyev
Veröffentlicht: (2011)

Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
von: Kuryliuk, V. V.
Veröffentlicht: (2018)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)