Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками

• Дата: 2022
• Автори: Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian; English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
• Теми: -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022108
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructure with quantum-dot chains has been studied. Dark current measurements reveal the anisotropy of electrical properties of the structure in the temperature range 77–150 K. The wave-function damping length and the average hopping distance in the heterostructure are ca...