Зображення обкладинки

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)

The adsorption of Ge on the Si(001) surface has been studied using ab initio quantum chemical (QM) and combined quantum-chemical–molecular-mechanical (QM/MM) cluster calculations. Multiconfigurational self-consistent field calculations that took the configuration interaction into account were perfor...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська Англійська
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:	-
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022119
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
за авторством: Ткачук, О.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2002)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)