Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
Методами високороздільної X-променевої дифракції (ВРХД), комбінаційного розсіяння світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ)досліджено вплив параметрів буферного шару Si1–xGex на просторове впорядкування самоіндукованих наноострівців Gе убагатошарових структурах SiGe/Si, вирощених на (001)Si підкладках....
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |