Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах

• Дата: 2022
• Автори: Yukhymchuk, V.O., Valakh, M.Ya., Kladko, V.P., Slobodian, M.V., Gudymenko, O.Yo., Krasilnik, Z.F., Novikov, A.V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian; English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
• Теми: -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The th...