Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The th...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022121 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221212022-02-16T08:07:05Z Peculiarities of Nucleation and Ordering of GeSi Nanoislands in Multilayer Structures Formed on Si and Si1-xGex Buffer Layers Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах Yukhymchuk, V.O. Valakh, M.Ya. Kladko, V.P. Slobodian, M.V. Gudymenko, O.Yo. Krasilnik, Z.F. Novikov, A.V. - - High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The thickness and the composition of a Si1–xGex buffer layer are shown to affect the lateral ordering of nanoislands owing to the different sensitivities to the ordered strain modulation in the layer surface. The spatial ordering is found to be governed exclusively by the lateral ordering in the first period of the superlattice (SL). It is demonstrated that, in the case of thick Si1–xGex buffer layers with a considerable Ge content, a plastic relaxation is accompanied by the emergence of mismatch dislocations at the interface, when the SL layers are coherent to the buffer one. The complex researches of the corresponding structural and optical characteristics allow us to develop methodological approaches to the study of the nanoisland ordering in the SL. Методами високороздільної X-променевої дифракції (ВРХД), комбінаційного розсіяння світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ)досліджено вплив параметрів буферного шару Si1–xGex на просторове впорядкування самоіндукованих наноострівців Gе убагатошарових структурах SiGe/Si, вирощених на (001)Si підкладках. Показано, що товщина та компонентний склад Si1–xGex буферного шару впливають на латеральне впорядкування наноострівців завдяки різній чутливості до впорядкованої модуляції деформацій на поверхні шару. Встановлено, що просторове впорядкування задається виключно латеральнимвпорядкуванням уже в першому періоді надґратки (НҐ). Показано, що у випадку товстих Si1–xGex буферних шарів із значним вмістом Ge починається пластична релаксація з виникненням дислокацій невідповідності на межі поділу, а шари НҐ є когерентними до буферного шару. Комплексні дослідження структурних та оптичних характеристик дозволили отримати методичні підходи до дослідження впорядкування наноострівців у НҐ. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-15 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121 10.15407/ujpe56.3.254 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 3 (2011); 254 Український фізичний журнал; Том 56 № 3 (2011); 254 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.3 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121/2373 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121/2374 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-02-16T08:07:05Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- |
| spellingShingle |
- Yukhymchuk, V.O. Valakh, M.Ya. Kladko, V.P. Slobodian, M.V. Gudymenko, O.Yo. Krasilnik, Z.F. Novikov, A.V. Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Yukhymchuk, V.O. Valakh, M.Ya. Kladko, V.P. Slobodian, M.V. Gudymenko, O.Yo. Krasilnik, Z.F. Novikov, A.V. |
| author_facet |
Yukhymchuk, V.O. Valakh, M.Ya. Kladko, V.P. Slobodian, M.V. Gudymenko, O.Yo. Krasilnik, Z.F. Novikov, A.V. |
| author_sort |
Yukhymchuk, V.O. |
| title |
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| title_short |
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| title_full |
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| title_fullStr |
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| title_full_unstemmed |
Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах |
| title_sort |
особливості зародження та упорядкування gesi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на si та si1-xgex буферних шарах |
| title_alt |
Peculiarities of Nucleation and Ordering of GeSi Nanoislands in Multilayer Structures Formed on Si and Si1-xGex Buffer Layers |
| description |
High resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS), and photoluminescence (PL) methods have been used to study theinfluence of Si1–xGex buffer layer parameters on the spatial ordering of self-assembled Ge nanoislands in multilayer SiGe/Si structures grown on Si (001) substrates. The thickness and the composition of a Si1–xGex buffer layer are shown to affect the lateral ordering of nanoislands owing to the different sensitivities to the ordered strain modulation in the layer surface. The spatial ordering is found to be governed exclusively by the lateral ordering in the first period of the superlattice (SL). It is demonstrated that, in the case of thick Si1–xGex buffer layers with a considerable Ge content, a plastic relaxation is accompanied by the emergence of mismatch dislocations at the interface, when the SL layers are coherent to the buffer one. The complex researches of the corresponding structural and optical characteristics allow us to develop methodological approaches to the study of the nanoisland ordering in the SL. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022121 |
| work_keys_str_mv |
AT yukhymchukvo peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT valakhmya peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT kladkovp peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT slobodianmv peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT gudymenkooyo peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT krasilnikzf peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT novikovav peculiaritiesofnucleationandorderingofgesinanoislandsinmultilayerstructuresformedonsiandsi1xgexbufferlayers AT yukhymchukvo osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT valakhmya osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT kladkovp osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT slobodianmv osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT gudymenkooyo osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT krasilnikzf osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah AT novikovav osoblivostízarodžennâtauporâdkuvannâgesinanoostrívcívubagatošarovihstrukturahsformovanihnasitasi1xgexbufernihšarah |
| first_indexed |
2025-10-02T01:18:30Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:18:30Z |
| _version_ |
1851765360116629504 |