Залежності фотоелектричних характеристик кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією від товщини
Експериментально та теоретично досліджено товщинні залежності квантового виходу фотоструму та фотоенергетичних параметрів кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ). Мінімізацію швидкості поверхневої рекомбінації (ШПР) на освітленій поверхні в них досягнуто за рахунок створення шарі...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022141 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| Резюме: | Експериментально та теоретично досліджено товщинні залежності квантового виходу фотоструму та фотоенергетичних параметрів кремнієвих сонячних елементів з тиловою металізацією (СЕТМ). Мінімізацію швидкості поверхневої рекомбінації (ШПР) на освітленій поверхні в них досягнуто за рахунок створення шарів мікропористого кремнію. Запропоновано метод знаходження ШПР та довжини дифузії неосновних носіїв заряду з товщинних залежностей квантового виходу фотоструму в умовах сильного поглинання світла. Виконані дослідження дозволили встановити, що потоншення зразків СЕТМ за умовимінімізації ШПР дозволяє реалізувати достатньо великі значення ефективності фотоперетворення. Показано також, що узгодження експериментальних спектральних залежностей квантового виходу фотоструму в досліджених СЕТМ з теоретичними може бути досягнуте лише за умови врахування коефіцієнта відбиття світла від тилової поверхні. |
|---|