Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [11...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131467908907008 |
|---|---|
| author | Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. |
| author_facet | Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. |
| author_sort | Fedosov, A.V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-02-17T19:42:47Z |
| description | Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC  – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α is determined at various temperatures. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe56.1.69 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:18:35Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2022156 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:18:35Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20221562022-02-17T19:42:47Z Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. - - Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC  – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α is determined at various temperatures. Досліджено монокристали $n$-Si з вихідною концентрацією носіїв струму 1,24 · 1014 см–3, опромінені γ-квантами Co60 дозою 3,8 · 1017 кв/см2. Досліджено п'єзоопір γ-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X ║ J ║ [100] та X ║ J ║ [110]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення і оцінено ступінь заповнення α глибоких рівнів. Обчисленовеличину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC  – 0,17 еВ і нижніми долинами зони провідності n-Si при одновісній пружній деформації вздовж кристалографічних напрямків [100] і [110]. Визначено середнє значення коефіцієнта α (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 10.15407/ujpe56.1.69 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 1 (2011); 69 Український фізичний журнал; Том 56 № 1 (2011); 69 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.1 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2420 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2421 |
| spellingShingle | - Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title | Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_alt | Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals |
| title_full | Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_fullStr | Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_full_unstemmed | Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_short | Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_sort | вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з а-центром, у кристалах n-si |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 |
| work_keys_str_mv | AT fedosovav influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT luniovsv influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT fedosovsa influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT fedosovav vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi AT luniovsv vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi AT fedosovsa vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi |