Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [11...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022156 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221562022-02-17T19:04:35Z Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. - - Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α is determined at various temperatures. Досліджено монокристали $n$-Si з вихідною концентрацією носіїв струму 1,24 · 1014 см–3, опромінені γ-квантами Co60 дозою 3,8 · 1017 кв/см2. Досліджено п'єзоопір γ-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X ║ J ║ [100] та X ║ J ║ [110]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення і оцінено ступінь заповнення α глибоких рівнів. Обчисленовеличину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC – 0,17 еВ і нижніми долинами зони провідності n-Si при одновісній пружній деформації вздовж кристалографічних напрямків [100] і [110]. Визначено середнє значення коефіцієнта α (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 10.15407/ujpe56.1.69 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 1 (2011); 69 Український фізичний журнал; Том 56 № 1 (2011); 69 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.1 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2420 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2421 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. |
| author_facet |
Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. |
| author_sort |
Fedosov, A.V. |
| title |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_short |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_full |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_fullStr |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_full_unstemmed |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si |
| title_sort |
вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з а-центром, у кристалах n-si |
| title_alt |
Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals |
| description |
Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α is determined at various temperatures. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 |
| work_keys_str_mv |
AT fedosovav influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT luniovsv influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT fedosovsa influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals AT fedosovav vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi AT luniovsv vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi AT fedosovsa vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:44Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:44Z |
| _version_ |
1795757760422346752 |