2025-02-23T00:56:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022156%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:56:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022156%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T00:56:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T00:56:47-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si

Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si

Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [11...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Fedosov, A.V., Luniov, S.V., Fedosov, S.A.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id ujp2-article-2022156
record_format ojs
spelling ujp2-article-20221562022-02-17T19:04:35Z Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si Fedosov, A.V. Luniov, S.V. Fedosov, S.A. - - Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC&nbsp; – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α&nbsp;is determined at various temperatures. Досліджено монокристали $n$-Si з вихідною концентрацією носіїв струму 1,24 · 1014 см–3, опромінені γ-квантами Co60 дозою 3,8 · 1017 кв/см2. Досліджено п'єзоопір γ-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X ║ J ║ [100] та X ║ J ║ [110]. Представлено метод розрахунку швидкості зміщення і оцінено ступінь заповнення α глибоких рівнів. Обчисленовеличину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC&nbsp; – 0,17 еВ і нижніми долинами зони провідності n-Si при одновісній пружній деформації вздовж кристалографічних напрямків [100] і [110]. Визначено середнє значення коефіцієнта α (ступінь заповнення глибоких енергетичних рівнів) для різних температур. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156 10.15407/ujpe56.1.69 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 1 (2011); 69 Український фізичний журнал; Том 56 № 1 (2011); 69 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.1 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2420 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156/2421
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
-
spellingShingle -
-
Fedosov, A.V.
Luniov, S.V.
Fedosov, S.A.
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
topic_facet -
-
format Article
author Fedosov, A.V.
Luniov, S.V.
Fedosov, S.A.
author_facet Fedosov, A.V.
Luniov, S.V.
Fedosov, S.A.
author_sort Fedosov, A.V.
title Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
title_short Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
title_full Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
title_fullStr Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
title_full_unstemmed Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А-центром, у кристалах n-Si
title_sort вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з а-центром, у кристалах n-si
title_alt Influence of Uniaxial Deformation on the Filling of the Level Associated with A-center in n-Si Crystals
description Single crystals of n-Si with the initial charge carrier concentration of 1.24 × 1014 cm–3 which were irradiated with Co60 γ-quanta to a dose of 3.8 × 1017 quantum/cm2 have been studied. The piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals has beenmeasured in the case where X ║ J ║ [100] and X ║ J ║ [110]. The technique of calculations of the drift rate is presented, and the filling degree α of deep levels is estimated. The variation of the energy gap between the deep energy level EC&nbsp; – 0.17 eV and the lower valleys in the conduction band in n-Si crystals induced by an uniaxial elastic deformation along the crystallographic directions [100] and [110] is calculated. The average value of the coefficient α&nbsp;is determined at various temperatures.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2022
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022156
work_keys_str_mv AT fedosovav influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals
AT luniovsv influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals
AT fedosovsa influenceofuniaxialdeformationonthefillingofthelevelassociatedwithacenterinnsicrystals
AT fedosovav vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi
AT luniovsv vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi
AT fedosovsa vplivodnovísnoídeformacíínazapovnennârívnâpovâzanogozacentromukristalahnsi
first_indexed 2023-03-24T09:00:44Z
last_indexed 2023-03-24T09:00:44Z
_version_ 1795757760422346752

Similar Items