Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
The effect of trapping on the transient and steady-state lifetimes of excess carriers is investigated in InSb of n-type conductivity. Photoconductive decay and direct current measurements are used to characterize the starting material and infrared photodiodes. The large difference between the transi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2024 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023240 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |