Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)
The life and the scientific career of V.Ye. Lashkaryov – an outstanding Ukrainian scientist of the 20th century and the founder of the Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine – are described. In 1941, he published the first article in the world literature de...
Збережено в:
Дата: | 2023 |
---|---|
Автор: | Strikha, M.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023256 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Наближення молекулярного поля в теорії феромагнітного фазового переходу в розбавлених магнітних напівпровідниках
за авторством: Semenov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2021) -
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
за авторством: Kozynetz, A. V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу
за авторством: Kozinetz, A. V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2021) -
Олександр Миколайович Карасьов — визначний дослідник Ольвії Понтійської (до 120-ліття)
за авторством: Русяєва, А.C., та інші
Опубліковано: (2022)