Зображення обкладинки

Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)

The life and the scientific career of V.Ye. Lashkaryov – an outstanding Ukrainian scientist of the 20th century and the founder of the Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine – are described. In 1941, he published the first article in the world literature de...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автор:	Strikha, M.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська Українська
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2023
Теми:	В.Є. Лашкарьов напiвпровiдники p-n-перехiд контакт поверхня
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023256
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Наближення молекулярного поля в теорії феромагнітного фазового переходу в розбавлених магнітних напівпровідниках
за авторством: Semenov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2021)

Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Сторiччя науки про напiвпровiдники: витоки i український внесок
за авторством: Strikha, M. V.
Опубліковано: (2018)

Науковий спадок Петра Томчука. Бібліографічний опис
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)

Оптична кубiчна нелiнiйнiсть тонких плiвок Fe2O3 i Cr2O3, синтезованих методом iмпульсного лазерного осадження
за авторством: Brodyn, M. S., та інші
Опубліковано: (2019)

Про деякi важливi результати з фiзики поверхнi напiвпровiдникiв, отриманi в Українi за роки Незалежностi (1991–2016)
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019)

Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)

Раманівське дослідження фотоокислення скла As2S3 : Ag під дією видимого світла
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2025)

Спектроскопія триплетных екситонів у органічних сполуках: кристалічний і склоподібний бензофенон
за авторством: Melnyk, V.I., та інші
Опубліковано: (2026)

Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
за авторством: Strikha, M.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
за авторством: Sologub, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Спектральнi параметри електрона в багатошаровiй цилiндричнiй напiвпровiдниковiй нанотрубцi з донорною домiшкою на аксiальнiй осi
за авторством: Makhanets, O. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Науковий спадок Петра Томчука в галузі теоретичної фізики і фізики конденсованого стану
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)

Олександр Миколайович Карасьов — визначний дослідник Ольвії Понтійської (до 120-ліття)
за авторством: Русяєва, А.C., та інші
Опубліковано: (2022)

Про механізм збудження гібридних плазмон-поляритонів у напівпровідниках
за авторством: Chepilko, M.M., та інші
Опубліковано: (2025)

Особливостi перколяцiйного переходу в системах на основi олiгоглiколiв та вуглецевих нанотрубок
за авторством: Klepko, V. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив статичного електричного поля на гiстерезис свiтлоiндукованого переходу Фредерiкса в нематичнiй комiрцi
за авторством: Ledney, M. F., та інші
Опубліковано: (2019)

Золь-гель перехід у гідрогелях як фазовий перехід першого роду
за авторством: Zabashta, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2024)

Кінетика фазового переходу в змінному температурному полі
за авторством: Zabashta, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2021)

Визначення коефіцієнта поверхневого натягу полімерного гелю
за авторством: Zabashta, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2022)

Фазовий перехід і утворення мікрогелів у полімерних розчинах з іонами солей
за авторством: Zabashta, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2025)

Бозе–ейнштейнівська конденсація у системі взаємодіючих бозонів при скінченних температурах
за авторством: Anchishkin, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив магнітостатичного поля на механізм збудження гібридних плазмон-поляритонів у напівпровідниках
за авторством: Chepilko, N.M., та інші
Опубліковано: (2026)

Вплив корозійних процесів на адгезійну міцність контакту між жорстким індентором і м’яким еластомером: експеримент
за авторством: Lyashenko, I.A., та інші
Опубліковано: (2023)

Фазовi переходи при дегiдратацiї глюкози
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Автохвилі, спричинені фазовим переходом першого роду
за авторством: Bulavin, L.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Двопроменезаломлюючi властивостi одновiсно стиснутих кристалiв K2SO4
за авторством: Stadnyk, V. Yo., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив відкрито-пористої системи на твердофазний перехід в 1-октадецені
за авторством: Alekseev, O. M., та інші
Опубліковано: (2019)

Теоретичний розрахунок часів напіврозпаду з емісією двох протонів в модифікованій CYE моделі з потенціалом Хюльтена
за авторством: Carmel Vigila Bai, G.M., та інші
Опубліковано: (2025)

Фiзичнi властивостi кремнiєвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення на основi “глибокого” p–n-переходу
за авторством: Kozinetz, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Структурний перехід у розбавлених розчинах стрижнеподібних макромолекул
за авторством: Alekseev, O. M., та інші
Опубліковано: (2020)

Збудження резонансного переходу 51S – 51Po атома Sr електронним ударом
за авторством: Nagy, E. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)

Можлива двопротонна емісія з ядер в області 4 ≤ Z ≤ 54 на основі модифікованої CYE моделі
за авторством: Carmel Vigila Bai, G.M., та інші
Опубліковано: (2024)

Ефективний потенцiал мiжелектронної взаємодiї для напiвобмеженого електронного газу з врахуванням поправки на локальне поле
за авторством: Markovych, B. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив внутрiшньоплощинної анiзотропiї на величину поля критичного переходу в наногранулярних плiвках з перпендикулярною анiзотропiєю
за авторством: Kulyk, M. M., та інші
Опубліковано: (2019)