Buchumschlag

Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)

The life and the scientific career of V.Ye. Lashkaryov – an outstanding Ukrainian scientist of the 20th century and the founder of the Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine – are described. In 1941, he published the first article in the world literature de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2023
1. Verfasser:	Strikha, M.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch Ukrainisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2023
Schlagworte:	В.Є. Лашкарьов напiвпровiдники p-n-перехiд контакт поверхня
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023256
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Наближення молекулярного поля в теорії феромагнітного фазового переходу в розбавлених магнітних напівпровідниках
von: Semenov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Сторiччя науки про напiвпровiдники: витоки i український внесок
von: Strikha, M. V.
Veröffentlicht: (2018)

Науковий спадок Петра Томчука. Бібліографічний опис
von: Gandzha, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Оптична кубiчна нелiнiйнiсть тонких плiвок Fe2O3 i Cr2O3, синтезованих методом iмпульсного лазерного осадження
von: Brodyn, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Про деякi важливi результати з фiзики поверхнi напiвпровiдникiв, отриманi в Українi за роки Незалежностi (1991–2016)
von: Litovchenko, V. G.
Veröffentlicht: (2019)

Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
von: Afanasieva, T. V.
Veröffentlicht: (2019)

Раманівське дослідження фотоокислення скла As2S3 : Ag під дією видимого світла
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Спектроскопія триплетных екситонів у органічних сполуках: кристалічний і склоподібний бензофенон
von: Melnyk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
von: Strikha, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
von: Tomchuk, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Спектральнi параметри електрона в багатошаровiй цилiндричнiй напiвпровiдниковiй нанотрубцi з донорною домiшкою на аксiальнiй осi
von: Makhanets, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Науковий спадок Петра Томчука в галузі теоретичної фізики і фізики конденсованого стану
von: Gandzha, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Олександр Миколайович Карасьов — визначний дослідник Ольвії Понтійської (до 120-ліття)
von: Русяєва, А.C., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Про механізм збудження гібридних плазмон-поляритонів у напівпровідниках
von: Chepilko, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
von: Sologub, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Надкритичні лінії переходу в комірковій моделі плину
von: Dobush, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив магнітостатичного поля на механізм збудження гібридних плазмон-поляритонів у напівпровідниках
von: Chepilko, N.M., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Вплив корозійних процесів на адгезійну міцність контакту між жорстким індентором і м’яким еластомером: експеримент
von: Lyashenko, I.A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Теоретичний розрахунок часів напіврозпаду з емісією двох протонів в модифікованій CYE моделі з потенціалом Хюльтена
von: Carmel Vigila Bai, G.M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив статичного електричного поля на гiстерезис свiтлоiндукованого переходу Фредерiкса в нематичнiй комiрцi
von: Ledney, M. F., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Особливостi перколяцiйного переходу в системах на основi олiгоглiколiв та вуглецевих нанотрубок
von: Klepko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Збудження резонансного переходу 51S – 51Po атома Sr електронним ударом
von: Nagy, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Кінетика фазового переходу в змінному температурному полі
von: Zabashta, Yu.F., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Можлива двопротонна емісія з ядер в області 4 ≤ Z ≤ 54 на основі модифікованої CYE моделі
von: Carmel Vigila Bai, G.M., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Ефективний потенцiал мiжелектронної взаємодiї для напiвобмеженого електронного газу з врахуванням поправки на локальне поле
von: Markovych, B. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Напівсиметрична метрична ґравітація
von: Csillag, L., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Двовимірне рівняння Паулі в некомутативному фазовому просторі
von: Haouam, I.
Veröffentlicht: (2021)

Дослідження кластерних розпадів, зокрема тих, що дають подвійно магічне ядро 298114, та коефіцієнтів розгалуження відносно α-розпаду
von: Bai, G.M. Carmel Vigila, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Кореляцiйна функцiя та сприйнятливiсть iзингового магнетика в околi точки фазового переходу
von: Pylyuk, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Спектральний аналіз та інваріантна міра при вивченні динаміки гемостазу кровоносної судини
von: Grytsay, V.I.
Veröffentlicht: (2021)

Частотнi межi для графенового провiдного каналу, зумовленi наявнiстю квантової ємностi та кiнетичної iндуктивностi
von: Strikha, M. V.
Veröffentlicht: (2019)

Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон
von: Dovranov, K.T., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Високоефективнi телурид-кадмiєвi детектори X- i y-випромiнювання
von: Maslyanchuk, O. L., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Узагальнена модель Ландауера–Датта–Лундстрома в застосуваннi до транспортних явищ у графенi
von: Kruglyak, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Академiк НАН України Вадим Євгенович Лашкарьов видатний фiзик ХХ сторiччя, першовiдкривач p–n–переходу (до 55-рiччя створення Інституту фiзики напiвпровiдникiв НАН України)
von: Litovchenko, V. G.
Veröffentlicht: (2019)