Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)
The life and the scientific career of V.Ye. Lashkaryov – an outstanding Ukrainian scientist of the 20th century and the founder of the Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine – are described. In 1941, he published the first article in the world literature de...
Gespeichert in:
| Datum: | 2023 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Strikha, M.V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023256 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Наближення молекулярного поля в теорії феромагнітного фазового переходу в розбавлених магнітних напівпровідниках
von: Semenov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Сторiччя науки про напiвпровiдники: витоки i український внесок
von: Strikha, M. V.
Veröffentlicht: (2018) -
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
von: Afanasieva, T. V.
Veröffentlicht: (2019) -
Науковий спадок Петра Томчука. Бібліографічний опис
von: Gandzha, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2025)