2025-02-22T16:53:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023463%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:53:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2023463%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:53:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:53:23-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм

Важливою проблемою для HgCdTe та InSb фотодiодiв є надлишковий темновий струм, який домiнує при робочих напругах зворотного змiщення i перевищує генерацiйно-рекомбiнацiйний струм в областi просторового заряду (ОПЗ). Як правило, надлишковий струм має об’ємну та поверхневу складову i зумовлює низькоча...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.
Format: Article
Language:English
Ukrainian
Published: Publishing house "Academperiodika" 2025
Subjects:
IЧ фотодiоди
HgCdTe
InSb
механiзми транспорту носiїв заряду
моделювання темнового струму
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023463
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023463

Similar Items