Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defec...
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |