Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defec...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-59 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-592019-02-27T07:42:18Z Features of Radiation-Defect Annealing in n-Ge Single Crystals Irradiated with High-Energy Electrons Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій Luniov, S. V. Zimych, A. I. Khvyshchun, M. V. Maslyuk, V. T. Megela, I. G. iзотермiчний вiдпал радiацiйнi дефекти областi розвпорядкування n–p-конверсiя монокристали германiю - isothermal annealing radiation-induced defects disordered regions np conversion germanium single crystals - The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defects (A-centers) in irradiated n-Ge single crystals are calculated both before and after the annealing. An anomalous increase of the Hall constant is found, when the irradiated n-Ge single crystals were annealed at Tan = 403 K for up to 3 h. The annealing at the temperature Tan = 393 K for 1 h gave rise to the np conversion in the researched crystals. The revealed effects can be explained by the concentration growth of A-centers owing to the generation of vacancies at the annealing of disordered crystal regions. Дослiджено iзотермiчний вiдпал опромiнених потоком електронiв Φ = 5 · 1015 см−2 з енергiєю 10 МеВ монокристалiв n-Ge. На основi одержаних температурних залежностей сталої Холла, з розв’язкiв рiвнянь електронейтральностi, було обчислено концентрацiю радiацiйних дефектiв, що належать А-центрам, в опромiнених монокристалах n-Ge до i пiсля вiдпалу. При температурi вiдпалу TB = 403 K, для часiв вiдпалу до трьох годин, було виявлено аномальне збiльшення сталої Холла. Вiдпал при температурi TB = 393 K протягом однiєї години призвiв до n–p конверсiї. Данi ефекти пояснюються зростанням концентрацiї А-центрiв за рахунок генерацiї вакансiй, якi утворюються при вiдпалi ядер областей розвпорядкування. Publishing house "Academperiodika" 2019-02-21 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59 10.15407/ujpe64.2.151 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 2 (2019); 151 Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 151 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.2 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59/1333 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59/1334 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-02-27T07:42:18Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
iзотермiчний вiдпал радiацiйнi дефекти областi розвпорядкування n–p-конверсiя монокристали германiю - |
| spellingShingle |
iзотермiчний вiдпал радiацiйнi дефекти областi розвпорядкування n–p-конверсiя монокристали германiю - Luniov, S. V. Zimych, A. I. Khvyshchun, M. V. Maslyuk, V. T. Megela, I. G. Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| topic_facet |
iзотермiчний вiдпал радiацiйнi дефекти областi розвпорядкування n–p-конверсiя монокристали германiю - isothermal annealing radiation-induced defects disordered regions np conversion germanium single crystals - |
| format |
Article |
| author |
Luniov, S. V. Zimych, A. I. Khvyshchun, M. V. Maslyuk, V. T. Megela, I. G. |
| author_facet |
Luniov, S. V. Zimych, A. I. Khvyshchun, M. V. Maslyuk, V. T. Megela, I. G. |
| author_sort |
Luniov, S. V. |
| title |
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_short |
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_full |
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_fullStr |
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_full_unstemmed |
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_sort |
особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-ge, опромінених електронами ви-соких енергій |
| title_alt |
Features of Radiation-Defect Annealing in n-Ge Single Crystals Irradiated with High-Energy Electrons |
| description |
The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defects (A-centers) in irradiated n-Ge single crystals are calculated both before and after the annealing. An anomalous increase of the Hall constant is found, when the irradiated n-Ge single crystals were annealed at Tan = 403 K for up to 3 h. The annealing at the temperature Tan = 393 K for 1 h gave rise to the np conversion in the researched crystals. The revealed effects can be explained by the concentration growth of A-centers owing to the generation of vacancies at the annealing of disordered crystal regions. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59 |
| work_keys_str_mv |
AT luniovsv featuresofradiationdefectannealinginngesinglecrystalsirradiatedwithhighenergyelectrons AT zimychai featuresofradiationdefectannealinginngesinglecrystalsirradiatedwithhighenergyelectrons AT khvyshchunmv featuresofradiationdefectannealinginngesinglecrystalsirradiatedwithhighenergyelectrons AT maslyukvt featuresofradiationdefectannealinginngesinglecrystalsirradiatedwithhighenergyelectrons AT megelaig featuresofradiationdefectannealinginngesinglecrystalsirradiatedwithhighenergyelectrons AT luniovsv osoblivostívídpaluradíacíjnihdefektívvmonokristalahngeopromínenihelektronamivisokihenergíj AT zimychai osoblivostívídpaluradíacíjnihdefektívvmonokristalahngeopromínenihelektronamivisokihenergíj AT khvyshchunmv osoblivostívídpaluradíacíjnihdefektívvmonokristalahngeopromínenihelektronamivisokihenergíj AT maslyukvt osoblivostívídpaluradíacíjnihdefektívvmonokristalahngeopromínenihelektronamivisokihenergíj AT megelaig osoblivostívídpaluradíacíjnihdefektívvmonokristalahngeopromínenihelektronamivisokihenergíj |
| first_indexed |
2025-10-02T01:14:01Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:14:01Z |
| _version_ |
1851765040015736832 |