Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
The isothermal annealing of n-Ge single crystals irradiated with 10-MeV electrons to the fluence Φ = 5 × 1015 cm−2 has been studied. On the basis of the measured temperature dependences of the Hall constant and by solving the electroneutrality equations, the concentrations of radiation-induced defec...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSchreiben Sie den ersten Kommentar!