Suggested Topics within your search.
Suggested Topics within your search.
Персоналии
5
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу
1
В работе исследовано влияние условий формирования ионно-плазменных покрытий квазибинарных систем TiB₂-WB₂ и TiC-WC с разным содержанием металлических составляющих на их механические свойства: твердость и адгезионную прочность при отрыве в процессе скретч-тестирования
1
Представлено результати аналізу поверхні імплантованої іонами Si⁺ з дозою 5•10¹³ см⁻² та енергіями 100—150 кеВ плівок залізо-ітрієвого ґранату, отримані за допомогою рентґенівської фотоелектронної спектроскопії, встановлено відносний вміст основних хімічних елементів в поверхневому шарі, отримано інформацію про особливості електронних станів атомів на поверхні, валентних і структурних перетворень, що відбуваються в поверхневому шарі під дією імплантації іонами кремнію з різною енергією
1
-
1
-
2
-
3by Погребняк, А.Д., Даниленок, М.М., Комаров, Ф.Ф., Ердыбаева, Н.К., Береснев, В.М., Дробышевская, А.А., Кирик, Г.В., Братушка, С.Н., Жуковский, П.В., Дуб, С.Н., Углов, В.В., Шипиленко, А.П.
Published 2007Article -
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20