Развитие полупроводниковых СВЧ-технологий в НИИ «Орион» (к пятидесятилетию НИИ «Орион»)

von Болтовец, Н.С., Мальцев, С.Б.
Veröffentlicht 2011

Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)...

von Саченко, А.В., Беляев, А.Е., Болтовец, Н.С., Конакова, Р.В., Шеремет, В.Н.
Veröffentlicht 2013

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

von Болтовец, Н.С., Борисенко, А.Г., Иванов, В.Н., Федорович, О.А., Кривуца, В.А., Полозов Б.П.
Veröffentlicht 2009

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

von Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н.
Veröffentlicht 2005

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона

von Болтовец, Н.С., Басанец, В.В., Иванов, В.Н., Кривуца, В.А., Фесуненко, В.А., Цвир, А.В.
Veröffentlicht 1999

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах...

von Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Раевская, Н.С., Беляев, А.Е., Бобыль, А.В., Конакова, Р.В., Кудрик, Я.Я., Миленин, В.В., Новицкий, С.В., Шеремет В.Н.
Veröffentlicht 2010