Результати пошуку - Borblik, V. L.
- Показ 1 - 14 результатів із 14
-
1
Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains за авторством Borblik, V.L.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Electrostatics of the nanowire radial -- diode за авторством Borblik, V.L.
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття -
4
Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode за авторством Borblik, V.L.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
5
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
6
-
7
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
8
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
9
Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
10
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction за авторством Borblik, V.L., Rudnev, I.A., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
11
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M., Aleinikov, A. B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
12
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown за авторством Aleinikov, A.B., Berezovets, V.A., Borblik, V.L., Shwarts, M.M., Shwarts, Yu.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
13
-
14
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties за авторством Borblik, V.L., Korchevoi, A.A., Nikolenko, A.S., Strelchuk, V.V., Fonkich, A.M., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття