Показ
1 - 3
результатів із
3
для пошуку '
Chkhartishvili, L.S.
'
Перейти до змісту
VuFind
Ваш обліковий запис
Вихід
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Full text
Знайти
Розширений
Автор
Chkhartishvili, L.S.
Показ
1 - 3
результатів із
3
для пошуку '
Chkhartishvili, L.S.
'
, час виконання запиту: 0.00сек.
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Вибрати результат під номером 1
1
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
за авторством
Pagava, T.A.
,
Khocholava, D.Z.
,
Maisuradze, N.I.
,
Chkhartishvili, L.S.
Опубліковано 2012
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений...
за авторством
Pagava, T. A.
,
Beridze, M. G.
,
Maisuradze, N. I.
,
Chkhartishvili, L. S.
,
Kalandadze, I. G.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si...
за авторством
Pagava, T. A.
,
Chkhartishvili, L. S.
,
Maisuradze, N. I.
,
Beridze, M. G.
,
Khocholava, D. Z.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
–
Відправити пошук е-поштою
Пов'язані теми
-
proton irradiation
disordered regions
effective Hall mobility
n-silicon
photo-Hall effect
silicon
кремний
кремний n-типа
метод фото-Холл-эффекта
облучение протонами
протонное облучение
разупорядоченные области
эффективная холловская подвижность