Результати пошуку - Giyasova, F. A.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
-
2
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Saidova, R. A., Giyasova, F. A.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття -
3
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Abdulkhaev, О. А., Giyasova, F. A., Nazarov, J. T.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
4
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами... за авторством Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Zoirova, L. Kh., Abdulhaev, O. A., Juraev, D. R.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
5
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
слой объемного заряда
Schottky barriers
barrier
base
charge transport
current amplification effect
double-base structure
impurity
impurity layer
isotype heterojunction
modulation mode
pAlGaInAs–nGaAs heterojunction
photodiode structures
phototransistor
photovoltaic
potential series-connected barriers
rectifying junction
single- and double-base structure
space charge layer
space-charge layer
two-way sensitivity
база
барьер
барьер Шоттки
выпрямляющий переход
гетеропереход pAlGaInAs–nGaAs
двухбазовая структура
двухсторонняя чувствительность
изотипный гетеропереход
одно- и двухбазовая структура