Харвестер відкритої науки НАН України

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe

за авторством Godlewski, M., Surma, M., Ivanov, V.Yu., Surkova, T.P.
Опубліковано в: Физика низких температур (2004)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications

за авторством Godlewski, M., Guziewicz, E., Kopalko, K., Łuka, G., Łukasiewicz, M.I., Krajewski, T., Witkowski, B.S., Gierałtowska, S.
Опубліковано в: Физика низких температур (2011)

Doped nanoparticles for optoelectronics applications

за авторством Godlewski, M., Wolska, E., Yatsunenko, S., Opalińska, A., Fidelus, J., Łojkowski, W., Zalewska, M., Kłonkowski, A., Kuritsyn, D.
Опубліковано в: Физика низких температур (2009)

Mechanisms of enhancement of light emission in nanostructures of II–VI compounds doped with manganese

за авторством Godlewski, M., Yatsunenko, S., Ivanov, V.Yu., Drozdowicz-Tomsia, K., Goldys, E.M., Phillips, M.R., Klar, P.J., Heimbrodt, W.
Опубліковано в: Физика низких температур (2007)

ZnO as a conductive layer prepared by ALD for solar cells based on n-CdS/n-CdTe/p-Cu₁.₈S heterostructure

за авторством Semikina, T.V., Mamykin, S.V., Godlewski, M., Luka, G., Pietruszka, R., Kopalko, K., Krajewski, T.A., Gierałtowska, S., Wachnicki, L., Shmyryeva, L.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)