Харвестер відкритої науки НАН України

Atomic and electronic structure of a-SiC

за авторством Ivashchenko, V.I., Shevchenko, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Phase transformation B1 to B2 in TiC, TiN, ZrC and ZrN under pressure

за авторством Ivashchenko, V.I., Turchi, P.E.A., Shevchenko, V.I.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (2013)

Characterization of Ti–B–C–N films deposited by dc magnetron sputtering of bicomponent Ti/B₄C target

за авторством Onoprienko, A.A., Ivashchenko, V.I., Timofeeva, I.I., Sinelnitchenko, А.К., Butenko, О.А.
Опубліковано в: Сверхтвердые материалы (2015)

Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B₄C target

за авторством Onoprienko, A.A., Ivashchenko, V.I., Kozak, A.O., Sinelnichenko, A.K., Tomila, T.V.
Опубліковано в: Сверхтвердые материалы (2019)

Tight-binding description of TiCx

за авторством Ivashchenko, V.I., Turchi, P.E.A., Shevchenko, V.I., Ivashchenko, L.A., Porada, O.K.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (2004)

Comparative investigation of NbN and Nb–Si–N films: experiment and theory

за авторством Ivashchenko, V.I., Scrynskyy, P.L., Lytvyn, O.S., Butenko, O.O., Sinelnichenko, O.K., Gorb, L., Hill, F., Leszczynski, J., Kozak, A.O.
Опубліковано в: Сверхтвердые материалы (2014)