Харвестер відкритої науки НАН України

Chemical composition and light emission properties of Si-rich-SiOx layers prepared by magnetron sputtering

за авторством Khomenkova, L., Korsunska, N., Sheinkman, M., Stara, T.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

З’ясування умов збудження поверхневих поляритонів у кераміці Mg0,2Zn0,8O методом порушеного повного внутрішнього відбивання...

за авторством Melnichuk, O., Korsunska, N., Melnichuk, L., Khomenkova, L., Venger, Ye.
Опубліковано 2022

Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems

за авторством Baran, M., Bulakh, B., Korsunska, N., Khomenkova, L., Yukhymchuk, V., Sheinkman, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Особливості процесів збудження фотолюмінесценції у кераміці оксиду цинку, легованої елементами І групи...

за авторством Korsunska, N., Markevich, I., Stara, T., Kozoriz, K., Melnichuk, L., Melnichuk, O., Khomenkova, L.
Опубліковано 2022

Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals

за авторством Borkovska, L.V., Bulakh, B.M., Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.O., Markevich, I.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures

за авторством Borkovska, L.V., Korsunska, N.O., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G., Sheinkman, M.K.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

The nature of red emission in porous silicon

за авторством Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.E., Bulakh, B.M., Sheinkman, M.K., Stara, T.R.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра

за авторством Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, Ye. F.
Опубліковано 2019

Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn

за авторством Korsunska, N. O., Markevich, I. V., Stara, T. R., Borkovska, L. V., Lavoric, S., Melnichuk, L. Yu., Melnichuk, O. V.
Опубліковано 2018

Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC

за авторством Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, E. F., Venger, I. V.
Опубліковано 2020

Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure

за авторством Borkovska, L.V., Stara, T.R., Korsunska, N.O., Pechers’ka, К.Yu., Germash, L.P., Bondarenko, V.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence

за авторством Valakh, M.Ya., Sadofyev, Yu.G., Korsunska, N.O., Semenova, G.N., Strelchuk, V.V., Borkovska, L.V., Vuychik, M.V., Sharibaev, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Електричні, оптичні та люмінесцентні властивості монокристалів оксиду цинку

за авторством Markevich, I. V., Borkovska, L. V., Venger, Ye. F., Korsunska, N. O., Kushnirenko, V. I., Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Khomenkova, L. Yu.
Опубліковано 2018

Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers

за авторством Semenova, G.N., Venger, E.F., Korsunska, N.O., Klad’ko, V.P., Borkovska, L.V., Semtsiv, M.P., Sharibaev, M.B., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)