Treffer
1 - 1
von
1
Weiter zum Inhalt
Login
Sprache
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Alle Felder
Titel
Zeitschriftentitel
Verfasser
Schlagwort
Beschreibung
Tag
Full text
Suchen
Erweitert
Verfasser
Krivutsa, V. A.
Suchergebnisse - Krivutsa, V. A.
Treffer
1 - 1
von
1
Treffer weiter einschränken
Sortieren
Relevanz
Nach Datum, absteigend
Nach Datum, aufsteigend
Signatur
Verfasser
Titel
E-Mail
Export
Drucken
bulk_save_button
select_all_on_page
Bitte wählen Sie die Treffernummer 1
1
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von
Boltovets, M. S.
,
Borisenko, A. G.
,
Ivanov, V. N.
,
Fedorovich, О. А.
,
Krivutsa, V. A.
,
Polozov, B. P.
Veröffentlicht 2009
Volltext
Artikel
standalone_record_link
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
E-Mail
Export
Drucken
bulk_save_button
select_all_on_page
Suchwerkzeuge:
RSS-Feed abonnieren
Diese Suche als E-Mail versenden
Ähnliche Schlagworte
4NSiC silicon carbide
diode chip
ion-plasma etching
mesastructure
p–i–n-diode
p–i–n-диод
silicon etching
карбид кремния 4НSiC
мезаструктура
травление ионно-плазменное
травление кремния
чип диода