Результати пошуку - Krivutsa, V.A.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления за авторством Boltovets, M. S., Borisenko, A. G., Ivanov, V. N., Fedorovich, О. А., Krivutsa, V. A., Polozov, B. P.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
2
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes за авторством Boltovets, N.S., Goncharuk, N.M., Krivutsa, V.A., Chaika, V.E., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Tagaev, M.B., Voitsikhovskyi, D.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
3
Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals за авторством Boltovets, N.S., Basanets, V.V., Ivanov, V.N., Krivutsa, V.A., Tsvir, A.V., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Lyapin, V.G., Milenin, V.V., Soloviev, E.A., Venger, E.F., Voitsikhovskyi, D.I., Kholevchuk, V.V., Mitin, V.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття