Suchergebnisse - Krukovsky, S.I.
- Treffer 1 - 8 von 8
-
1
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники von Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht 2026Volltext
Artikel -
2
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs von Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. E.
Veröffentlicht 2003Volltext
Artikel -
3
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами von Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.
Veröffentlicht 2007Volltext
Artikel -
4
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития von Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I.
Veröffentlicht 2006Volltext
Artikel -
5
-
6
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.
Veröffentlicht 2013Volltext
Artikel -
7
-
8
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
liquid-phase epitaxy
жидкофазная эпитаксия
легирование
редкоземельные элементы
GaAs
LED module
MOCVD epitaxy
complex doping
doping
dopping
efficiency
electrochemical profiling
electrolyte–semiconductor barrier
epitaxial layer
epitaxial layers
epitaxial structure
epitaxial structures
heat pipe
heterostructure
hub
inversion point
low-temperature LPE
luminous efficacy
molecular beam epitaxy
multilayer tandem heterostructures
optoelectronics
photoconverter
photovoltaic converters
p–n junction
p–n-переход