Результати пошуку - Krukovsky, S.I.
- Показ 1 - 4 результатів із 4
-
1
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами за авторством Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
2
High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE за авторством Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
3
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.
Опубліковано 2013Отримати повний текст
Стаття -
4
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
dopping
epitaxial layer
epitaxial layers
epitaxial structure
heat pipe
hub
inversion point
liquid-phase epitaxy
photoconverter
rare-earth element
rare‑earth elements
жидкофазная эпитаксия
концентратор
легирование
редкоземельные элементы
редкоземельный элемент
тепловая труба
точка инверсии
фотопреобразователь
эпитаксиальная структура
эпитаксиальные слои
эпитаксиальный слой