Suchergebnisse - Krukovsky, S.I.

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    Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники von Krukovsky, S. I.

    Veröffentlicht 2026
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    Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами von Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

    Veröffentlicht 2007
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    Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития von Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I.

    Veröffentlicht 2006
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    High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE von Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.

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    Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ von Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

    Veröffentlicht 2013
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    Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода... von Vakiv, M. M., Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. Ye., Krukovsky, R. S., Timchishin, V. R., Syvorotka, N. Ya.

    Veröffentlicht 2010
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