Харвестер відкритої науки НАН України

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ

за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.
Опубліковано 2013

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE

за авторством Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода...

за авторством Vakiv, M. M., Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. Ye., Krukovsky, R. S., Timchishin, V. R., Syvorotka, N. Ya.
Опубліковано 2010