Результати пошуку - Krukovsky, S.I.

  • Показ 1 - 6 результатів із 6
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники за авторством Krukovsky, S. I.

    Опубліковано 2026
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами за авторством Krukovsky, S. I., Suvorotka, N. Ya.

    Опубліковано 2007
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития за авторством Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I.

    Опубліковано 2006
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE за авторством Krukovsky, S.I., Zayachuk, D.M., Rybak, O.V., Mryhin, I.O.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ за авторством Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.

    Опубліковано 2013
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода... за авторством Vakiv, M. M., Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. Ye., Krukovsky, R. S., Timchishin, V. R., Syvorotka, N. Ya.

    Опубліковано 2010
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: