X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates

за авторством Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
Опубліковано 2013

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures

за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Опубліковано 2010

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

за авторством Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.
Опубліковано 2003

Термохромні властивості плівок оксиду ванадію, отриманих магнетронним напиленням

за авторством Melnik, V.P., Khatsevych, I.M., Goltvyanskyi, Yu.V., Nikirin, V.A., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Klad'ko, V.P., Kuchuk, A.V.
Опубліковано 2022

Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants

за авторством Klyui, M.I., Temchenko, V.P., Gryshkov, O.P., Dubok, V.A., Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S.
Опубліковано 2013

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios

за авторством Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.
Опубліковано 2014

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.
Опубліковано 2007

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.
Опубліковано 2010

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes

за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.
Опубліковано 2007

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано 2012

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts

за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kuchuk, A.V., Korostinskay, T.V., Pilipchuk, A.S., Sheremet, V.N., Mazur, Yu.I., Ware, M.E., Salamo, G.J.
Опубліковано 2013