X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates за авторством Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.

Отримати повний текст

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.

Отримати повний текст

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections за авторством Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.

Отримати повний текст

Термохромні властивості плівок оксиду ванадію, отриманих магнетронним напиленням за авторством Melnik, V.P., Khatsevych, I.M., Goltvyanskyi, Yu.V., Nikirin, V.A., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Klad'ko, V.P., Kuchuk, A.V.

Отримати повний текст

Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants за авторством Klyui, M.I., Temchenko, V.P., Gryshkov, O.P., Dubok, V.A., Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Dzhagan, V.M., Yukhymchuk, V.O., Kiselov, V.S.

Отримати повний текст

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios за авторством Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.

Отримати повний текст

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Konakova, R.V., Kladko, V.P., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Korostinskaya, T.V., Ataubaeva, A.B., Nevolin, P.V.

Отримати повний текст

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

Отримати повний текст

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kuchuk, A.V., Korostinskay, T.V., Pilipchuk, A.S., Sheremet, V.N., Mazur, Yu.I., Ware, M.E., Salamo, G.J.

Отримати повний текст