Результати пошуку - Lalayants, A. I.

  • Показ 1 - 9 результатів із 9
Уточнити результати
  1. 1
    Зображення обкладинки

    Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки за авторством Trubaieva, O. G., Lalayants, A. I., Chaika, M. A.

    Опубліковано 2018

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  2. 2
    Зображення обкладинки

    Effect of heat treatment in Zn vapor on spectral kinetic, optical and mechanical properties of ZnSe(O,Te) crystals за авторством Gal'chinetskii, L.P., Katrunov, K.A., Lalayants, A.I., Opolonin, A.D.

    Опубліковано в: Functional Materials (2010)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  3. 3
    Зображення обкладинки

    Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x за авторством Trubaeva, O. G., Chaika, M. A., Galkin, S. M., Lalayants, A. I., Nepokupna, T. A.

    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  4. 4
    Зображення обкладинки

    Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x за авторством Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.

    Опубліковано 2018
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  5. 5
    Зображення обкладинки

    Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals за авторством Voronkin, E.F., Atroshchenko, L.V., Galkin, S.N., Lalayants, A.I., Rybalka, I.A., Ryzhikov, V.D.

    Опубліковано в: Functional Materials (2004)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  6. 6
    Зображення обкладинки

    Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals за авторством Gal'chinetskii, L.P., Lalayants, A.I., Onishchenko, G.M., Galkin, S.N., Dobrotvorskaya, M.V., Kamalieddin, R.F.

    Опубліковано в: Functional Materials (2011)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  7. 7
    Зображення обкладинки

    Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties за авторством Atroshchenko, L.V., Galkin, S.N., Galchinetskii, L.P., Lalayants, A.I., Rybalka, I.A., Ryzhikov, V.D., Silin, V.I., Starzhinskii, N.G.

    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  8. 8
    Зображення обкладинки

    Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI за авторством Starzhinskiy, N. G., Grinyov, B. V., Ryzhikov, V. D., Maliykin, Yu. V., Zhukov, A. V., Sidletskiy, О. Ts., Zenya, I. M., Lalayants, A. I.

    Опубліковано 2012
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:
  9. 9
    Зображення обкладинки

    Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base за авторством Atroshchenko, L.V., Gal'chinetskii, L.P., Galkin, S.N., Katrunov, K.A., Lalayants, A.I., Lisetskaya, E.K., Rybalka, I.A., Ryzhikov, V.D., Silin, V.I., Starzhinskii, N.G., Voronkin, E.F.

    Опубліковано в: Functional Materials (2005)
    Отримати повний текст
    Стаття

    Додати у Вибране
    Збережено в:

Інструменти для пошуку: