Результати пошуку - Neimash, V.B.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon за авторством Neimash, V.B., Puzenko, O.O., Kraitchinskii, A.M., Krasko, M.M., Putselyk, S., Claeys, C., Simoen, E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
2
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum за авторством Neimash, V.B., Poroshin, V.M., Shepeliavyi, P.Ye., Yukhymchuk, V.O., Melnyk, V.V., Makara, M.A., Kuzmich, A.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
3
Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation за авторством Neimash, V.B., Melnyk, V.V., Fedorenko, L.L., Shepeliavyi, P.Ye., Strelchuk, V.V., Nikolayenko, A.S., Isaiev, M.V., Kuzmich, A.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття