Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами за авторством Pagava, T.A., Khocholava, D.Z., Maisuradze, N.I., Chkhartishvili, L.S.

Отримати повний текст

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений... за авторством Pagava, T. A., Beridze, M. G., Maisuradze, N. I., Chkhartishvili, L. S., Kalandadze, I. G.

Отримати повний текст

Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si... за авторством Pagava, T. A., Chkhartishvili, L. S., Maisuradze, N. I., Beridze, M. G., Khocholava, D. Z.

Отримати повний текст