Показ
1 - 3
результатів із
3
для пошуку '
Pagava, T.A.
'
Перейти до змісту
VuFind
Ваш обліковий запис
Вихід
Логін
Мова
English
Deutsch
Українська
Всі поля
Назва
Назва журналу
Автор
Предмет
Опис
Тег
Знайти
Розширений
Автор
Pagava, T.A.
Показ
1 - 3
результатів із
3
для пошуку '
Pagava, T.A.
'
, час виконання запиту: 0.01сек.
Уточнити результати
Сортувати
Релевантність
Дата у спадаючому порядку
Дата у зростаючому порядку
Шифр
Автор
Назва
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Вибрати результат під номером 1
1
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
за авторством
Pagava, T.A.
,
Khocholava, D.Z.
,
Maisuradze, N.I.
,
Chkhartishvili, L.S.
Опубліковано 2012
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 2
2
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений...
за авторством
Pagava, T. A.
,
Beridze, M. G.
,
Maisuradze, N. I.
,
Chkhartishvili, L. S.
,
Kalandadze, I. G.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати результат під номером 3
3
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si...
за авторством
Pagava, T. A.
,
Chkhartishvili, L. S.
,
Maisuradze, N. I.
,
Beridze, M. G.
,
Khocholava, D. Z.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття
Додати у Вибране
Збережено в:
Вибрати сторінку | з відміченими:
Е-пошта
Експорт
Друк
Зберегти
Інструменти для пошуку:
Отримати RSS-стрічку
–
Відправити пошук е-поштою
Пов'язані теми
-
proton irradiation
disordered regions
effective Hall mobility
n-silicon
photo-Hall effect
silicon
кремний
кремний n-типа
метод фото-Холл-эффекта
облучение протонами
протонное облучение
разупорядоченные области
эффективная холловская подвижность