Treffer 1 - 20 von 40 für Suche 'Sachenko, A. V.', Suchdauer: 0,02s Treffer weiter einschränken
  1. 1
    On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid
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  2. 2
    Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
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  3. 3
    Polarization unstabilities in a quasi-isotropic He-Ne laser in axial magnetic field
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  4. 4
    Photoconversion efficiency of quantum-well solar cells for the optimum doping level of a base
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  5. 5
    Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
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  6. 6
    Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
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  7. 7
    Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
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  8. 8
    Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
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  9. 9
    Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
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  10. 10
    A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures
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  11. 11
    Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
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  12. 12
    Lateral multijunction photovoltaic cells
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  13. 13
    Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
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  14. 14
    Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination
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  15. 15
    Зменшення рекомбінаційних втрат у дифузійних приповерхневих емітерних шарах фоточутливих кремнієвих структур n+-p-p+
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  16. 16
    Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
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  17. 17
    New formalism for self-consistent parameters optimization of highly efficient solar cells
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  18. 18
    The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
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  19. 19
    Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
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  20. 20
    Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
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