X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates за авторством Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.

Отримати повний текст

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density за авторством Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.

Отримати повний текст

Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method за авторством Lytovchenko, V., Gorbanyuk, T., Kladko, V., Sarikov, A., Safriuk, N., Fedorenko, L., Asmontas, Steponas, Gradauskas, Jonas, Sirmulis, Edmundas, Zalys, Ovidijus

Отримати повний текст

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient за авторством Sabov, T.M., Oberemok, O.S., Dubikovskyi, O.V., Melnik, V.P., Kladko, V.P., Romanyuk, B.M., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo., Safriuk, N.V.

Отримати повний текст

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios за авторством Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.

Отримати повний текст