Харвестер відкритої науки НАН України

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates

за авторством Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density

за авторством Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2018)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios

за авторством Kladko, V.P., Safriuk, N.V., Stanchu, H.V., Kuchuk, A.V., Melnyk, V.P., Oberemok, A.S., Kriviy, S.B., Maksymenko, Z.V., Belyaev, A.E., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)