Харвестер відкритої науки НАН України

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия

за авторством Sai, P. O.
Опубліковано 2016

Ohmic contacts to InN-based materials

за авторством Sai, P.O.
Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2016)

Degradation processes in LED modules

за авторством Sorokin, V.M., Kudryk, Ya.Ya., Shynkarenko, V.V., Kudryk, R.Ya., Sai, P.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density

за авторством Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2018)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості...

за авторством Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V.
Опубліковано 2017

Особливості формування омічних контактів до n+-InN

за авторством Sai, P. O., Safryuk-Romanenko, N. V., But, D. B., Cywiński, G., Boltovets, N. S., Brunkov, P. N., Jmeric, N. V., Ivanov, S. V., Shynkarenko, V. V.
Опубліковано 2019