Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN за авторством Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.

Отримати повний текст

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Zhigunov, V.S., Konakova, R.V., Panteleev, V.N., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Milenin, V.V., Sveshnikov, Yu.N., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах... за авторством Boltovets, N. S., Ivanov, V. N., Kovtonyuk, V. M., Rayevskaya, N. S., Belyaev, A. E., Bobyl, A. V., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Milenin, V. V., Novitskiy, C. V., Sheremet, V. N.

Отримати повний текст

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.

Отримати повний текст

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si за авторством Belyaev, A.E., Pilipenko, V.A., Anischik, V.M., Petlitskaya, T.V., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Boltovets, N.S., Korostinskaya, T.V., Kapitanchuk, L.M., Kudryk, Ya.Ya., Vinogradov, A.O., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density за авторством Sachenko, A.V., Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Zhilyaev, Yu.V., Kapitanchuk, L.M., Klad’ko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Naumov, A.V., Panteleev, V.V., Sheremet, V.N.

Отримати повний текст