Харвестер відкритої науки НАН України

Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt

за авторством Baganov, Ye.O., Shutov, S.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase

за авторством Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing

за авторством Shutov, S.V., Shtan’ko, A.D., Kurak, V.V., Litvinova, M.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide

за авторством Litvinova, M.B., Shutov, S.V., Shtan`ko, A.D., Kurak, V.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)

Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування

за авторством Vikulin, I. M., Litvinenko, V. N., Shutov, S. V., Maronchuk, A. I., Demenskiy, A. N., Glukhova, V. I.
Опубліковано 2018

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering

за авторством Vikulin, I.M., Litvinenko, V.N., Shutov, S.V., Maronchuk, A.I., Demenskiy, A.N., Glukhova, V.I.
Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2018)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Опубліковано 2008