Результати пошуку - Shwarts, Yu. M.
- Показ 1 - 19 результатів із 19
-
1
Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора за авторством Shwarts, Yu. M., Shwarts, Yu. M., Yaganov, P. A., Dzuba, V. G.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники за авторством Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
4
About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
5
-
6
A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
7
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
8
Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors за авторством Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
9
Диодный сенсор температуры: анализ приборной погрешности измерения за авторством Ivashchenko, A. N., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
10
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction за авторством Borblik, V.L., Rudnev, I.A., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
11
Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors за авторством Shwarts, Yu.M., Sokolov, V.N., Shwarts, M.M., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
12
-
13
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures за авторством Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M., Aleinikov, A. B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
14
Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes за авторством Ivashchenko, O.M., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M., Kopko, D.P., Sypko, M.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
15
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown за авторством Aleinikov, A.B., Berezovets, V.A., Borblik, V.L., Shwarts, M.M., Shwarts, Yu.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
16
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics за авторством Ivashchenko, O.M., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M., Kopko, D.P., Sypko, N.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
17
-
18
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties за авторством Borblik, V.L., Korchevoi, A.A., Nikolenko, A.S., Strelchuk, V.V., Fonkich, A.M., Shwarts, Yu.M., Shwarts, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
19
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа за авторством Krasnov, V. A., Shwarts, Yu. M., Shwarts, М. M., Kopko, D. P., Erohin, S. Yu., Fonkich, A. М., Shutov, S. V., Sypko, N. I.
Опубліковано 2008Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
sensor
temperature
сенсор
температура
GaP
Si
accuracy
approximation
diode
extreme electronics
measurement
neural network
p-n-переход
p–n junction
silicon diode
thermometric characteristic
аппроксимация
диод
измерение
кремниевый диод
нейронная сеть
термометрическая характеристика
точность
экстремальная электроника