Харвестер відкритої науки НАН України

НОРМАТИВНО-ПРАВОВЕ РЕГУЛЮВАННЯ ДІЯЛЬНОСТІ ПРОСТОРОВИХ ФОРМ ОРГАНІЗАЦІЇ БІЗНЕСУ В УКРАЇНІ: КЛЮЧОВІ ПРОБЛЕМИ ТА ПЕРСПЕКТИВИ РОЗВИТКУ...

von Tkach, S.M.
Veröffentlicht 2017

Electron spectrum in confined cylindrical nanoheterosystem with finite depth of potential well

von Holovatsky, V.A., Voitsekhivska, O.M., Mikhalyova, M.J., Tkach, M.M.
Veröffentlicht in Condensed Matter Physics (2000)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

von Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

von Prokopenko, I.V., Kislovskii, E.N., Olikhovskii, S.I., Tkach, V.M., Lytvyn, P.M., Vladimirova, T.P.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Micropatterning in bistable cholesteric device with Bragg's reflection

von Gritsenko, M.I., Kucheev, S.I., Lytvyn, P.M., Tishenko, V.G., Tkach, V.M., Yelshansky, V.B.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Радiацiйнi пошкодження багатостiнних вуглецевих нанотрубок при опромiненнi електронами

von Pinchuk-Rugal, T. M., Dmytrenko, O. P., Kulish, M. P., Bulavin, L. A., Nychyporenko, O. S., Grabovskyi, Yu. E., Zabolotnyi, M. A., Strelchuk, V. V., Nikolenko, A. S., Shlapatska, V. V., Tkach, V. M.
Veröffentlicht 2019

Вплив тиску аргону в камерi осадження на властивостi легованих алюмiнiєм плiвок ZnO, вирощених методом пошарового осадження при магнетронному розпиленнi...

von Popovych, V. I., Ievtushenko, A. I., Lytvyn, O. S., Romanjuk, V. R., Tkach, V. M., Baturyn, V. A., Karpenko, O. Y., Dranchuk, M. V., Klochkov, L. O., Dushejko, M. G., Karpyna, V. A., Lashkarov, G. V.
Veröffentlicht 2019