Харвестер відкритої науки НАН України

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

за авторством Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

за авторством Prokopenko, I.V., Kislovskii, E.N., Olikhovskii, S.I., Tkach, V.M., Lytvyn, P.M., Vladimirova, T.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Micropatterning in bistable cholesteric device with Bragg's reflection

за авторством Gritsenko, M.I., Kucheev, S.I., Lytvyn, P.M., Tishenko, V.G., Tkach, V.M., Yelshansky, V.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Радiацiйнi пошкодження багатостiнних вуглецевих нанотрубок при опромiненнi електронами

за авторством Pinchuk-Rugal, T. M., Dmytrenko, O. P., Kulish, M. P., Bulavin, L. A., Nychyporenko, O. S., Grabovskyi, Yu. E., Zabolotnyi, M. A., Strelchuk, V. V., Nikolenko, A. S., Shlapatska, V. V., Tkach, V. M.
Опубліковано 2019

Вплив тиску аргону в камерi осадження на властивостi легованих алюмiнiєм плiвок ZnO, вирощених методом пошарового осадження при магнетронному розпиленнi...

за авторством Popovych, V. I., Ievtushenko, A. I., Lytvyn, O. S., Romanjuk, V. R., Tkach, V. M., Baturyn, V. A., Karpenko, O. Y., Dranchuk, M. V., Klochkov, L. O., Dushejko, M. G., Karpyna, V. A., Lashkarov, G. V.
Опубліковано 2019