Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb

von Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.
Veröffentlicht 2024

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

von Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures...

von Tkachuk, A.I., Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)