Результати пошуку - Tkachuk, A.I.
- Показ 1 - 12 результатів із 12
-
1
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
2
Production and investigation of Cu/thin intermediate tunnel-transparent dielectric oxide layer/n-Pb₀.₉₃₅Sn₀.₀₆₅Te₀.₂₄₃Se₀.₇₅₇/In Schottky barrier structures... за авторством Tkachuk, A.I., Tsarenko, O.N., Ryabets, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
3
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
4
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
5
-
6
Shunt current in InAs diffused photodiodes за авторством Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2020)Отримати повний текст
Стаття -
7
Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
8
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb за авторством Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I., Lutsyshyn, I.G.
Опубліковано 2024
Отримати повний текст
Стаття -
9
-
10
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Boiko, V.A., Tkachuk, A.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
11
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions за авторством Tetyorkin, V.V., Sukach, A.V., Tkachuk, A.I., Trotsenko, S.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
12
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 за авторством Tkachuk, A. I., Tsarenko, O. N., Raybets, S. I., Tkachuk, I. Yu., Kovalyov, Yu. G.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
InSb
Optoelectronics and optoelectronic devices
Semiconductor physics
Sensors
infrared photodiodes
iнфрачервонi фотодiоди
lifetime
liquid‑phase epitaxy
photovoltaic sensor
recombination and trapping effects
surface‑barrier structures
жидкофазная эпитаксия
нерiвноважнi носiї
поверхностно-барьерные структуры
прилипання
рекомбiнацiя
фотовольтаический сенсор
час життя