Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing за авторством M. M. Krasko, A. H. Kolosiuk, V. V. Voitovych, Yu. Povarchuk, I. S. Rohutskyi

Отримати повний текст

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing за авторством M. M. Krasko, A. G. Kolosiuk, V. V. Voitovych, Yu. Povarchuk, I. S. Rogutskyi

Отримати повний текст

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin за авторством R. M. Rudenko, V. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. G. Kolosyuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Makara

Отримати повний текст

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin за авторством R. M. Rudenko, V. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. H. Kolosiuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Makara

Отримати повний текст

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films за авторством R. M. Rudenko, O. O. Voitsikhovska, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, M. M. Krasko, Yu. Povarchuk, M. P. Rudenko, L. M. Knorozok

Отримати повний текст

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films за авторством R. M. Rudenko, O. O. Voitsihovska, V. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. G. Kolosyuk, Yu. Povarchuk, M. P. Rudenko, L. M. Knorozok

Отримати повний текст

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix за авторством V. V. Voitovych, R. M. Rudenko, V. O. Yuchymchuk, M. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. G. Kolosiuk, Yu. Povarchuk, I. M. Khachevich, M. P. Rudenko

Отримати повний текст

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix за авторством V. V. Voitovych, R. M. Rudenko, V. O. Yukhymchuk, M. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. H. Kolosiuk, Yu. Povarchuk, I. M. Khatsevych, M. P. Rudenko

Отримати повний текст

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin за авторством R. M. Rudenko, M. M. Krasko, V. V. Voitovych, A. G. Kolosyuk, Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuck, Ya. Bratus, M. V. Voitovych, I. A. Zaloilo

Отримати повний текст

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin за авторством R. M. Rudenko, M. M. Krasko, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, M. V. Voitovych, Ya. Bratus, I. A. Zaloilo

Отримати повний текст